PMV48XPA2R
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
НОВА часть #:
312-2295680-PMV48XPA2R
Производитель:
Номер детали производителя:
PMV48XPA2R
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | PMV48 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 4A, 8V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 679 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 610mW (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-PMV48XPA2RDKR 1727-PMV48XPA2RTR 1727-PMV48XPA2RCT 934661338215 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- PMV48XPA215NXP USA Inc.
- FQD5P20TMonsemi
- S1G-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division
- BAV5004WS-7Diodes Incorporated
- BZX84-A15,215Nexperia USA Inc.
- PMV48XPARNexperia USA Inc.
- BZV55-B12,135Nexperia USA Inc.
- MCP1702T-3002E/CBMicrochip Technology
- BAT54WS-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- PMV48XP,215Nexperia USA Inc.
- PMV32UP,215Nexperia USA Inc.









