SQD50P06-15L_GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
НОВА часть #:
312-2282869-SQD50P06-15L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD50P06-15L_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5910 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | SQD50P06-15L-GE3 SQD50P06-15L_GE3-ND SQD50P06-15L-GE3-ND SQD50P06-15L_GE3CT SQD50P06-15L_GE3DKR SQD50P06-15L_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ATP304-TL-Honsemi
LP38798SDE-ADJ/NOPBTexas Instruments
BZX84J-B3V6,115Nexperia USA Inc.
LMK00101SQE/NOPBTexas Instruments
SUD50P06-15-BE3Vishay Siliconix
BCP53T1Gonsemi
RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor
IRL540NSTRLPBFInfineon Technologies- BCP56T1Gonsemi
TPS7A3901DSCTTexas Instruments- RD3L07BATTL1Rohm Semiconductor
- SUD50P06-15L-E3Vishay Siliconix
FZT493TADiodes Incorporated- SUD50P06-15-GE3Vishay Siliconix
