IXFN110N85X
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
НОВА часть #:
312-2291962-IXFN110N85X
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFN110N85X
Стандартный пакет:
10
Технический паспорт:
N-Channel 850 V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227B | |
| Базовый номер продукта | IXFN110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HiPerFET™, Ultra X | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 425 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-227-4, miniBLOC | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 850 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 17000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1170W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXFN140N30PIXYS- IXFN56N90PIXYS
- IXFN70N100XIXYS
- IXFN90N85XIXYS
- IXFN150N65X2IXYS
VS-UFB280FA40Vishay General Semiconductor - Diodes Division