CPH3356-TL-W
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3CPH
НОВА часть #:
312-2273391-CPH3356-TL-W
Производитель:
Номер детали производителя:
CPH3356-TL-W
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 3-CPH | |
| Базовый номер продукта | CPH3356 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.3 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 250 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | CPH3356-TL-W-ND CPH3356-TL-WOSTR CPH3356-TL-WOSDKR CPH3356-TL-WOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and Storage
- 2N7002P,215Nexperia USA Inc.
- SI2301-3AMDD
- SI2301-TPMicro Commercial Co
- SI2301CDS-T1-E3Vishay Siliconix
- SQ2351ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- CPH3350-TL-Wonsemi
- MMFTP3401Diotec Semiconductor
- BCM857BS,135Nexperia USA Inc.
- PMV100XPEARNexperia USA Inc.
- SI2301BDS-T1-E3Vishay Siliconix
- SI2301CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- RSC002P03T316Rohm Semiconductor
- PMV100XPEA215NXP Semiconductors









