PMXB350UPEZ
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
НОВА часть #:
312-2265048-PMXB350UPEZ
Производитель:
Номер детали производителя:
PMXB350UPEZ
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN1010D-3 | |
| Базовый номер продукта | PMXB350 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 447mOhm @ 1.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 116 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) | |
| Другие имена | 568-10944-6-ND PMXB350UPEZ-ND 2156-PMXB350UPEZ-NEX 934067152147 568-10944-1-ND 568-10944-2-ND NEXNXPPMXB350UPEZ 568-10944-2 568-10944-1 1727-1473-6 568-10944-6 PMXB350UPE 1727-1473-1 1727-1473-2 PMXB350UPEZINACTIVE |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
QS6U24TRRohm Semiconductor
RZE002P02TLRohm Semiconductor
CPH3350-TL-Wonsemi
RV2C014BCT2CLRohm Semiconductor
DMP22D4UFA-7BDiodes Incorporated
TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and Storage
SBE808-TL-Wonsemi
