SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
НОВА часть #:
312-2282631-SIRA99DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIRA99DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 47.9A (Ta), 195A (Tc) 6.35W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIRA99 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 47.9A (Ta), 195A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | +16V, -20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10955 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.35W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | SIRA99DP-T1-GE3TR SIRA99DP-T1-GE3DKR SIRA99DP-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI7145DP-T1-GE3Vishay Siliconix
CSD18531Q5ATexas Instruments- SI7143DP-T1-GE3Vishay Siliconix
ZXGD3004E6TADiodes Incorporated
CS1210F260CIT Relay and Switch
IRFR9024NTRLPBFInfineon Technologies- SI7137DP-T1-GE3Vishay Siliconix
CSD18543Q3ATTexas Instruments