SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2285018-SI2336DS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2336DS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2336 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 560 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI2336DS-T1-GE3TR SI2336DS-T1-GE3DKR SI2336DST1GE3 SI2336DS-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
1N4148WS-7-FDiodes Incorporated
PMV42ENERNexperia USA Inc.
STWD100NWWY3FSTMicroelectronics
RSR025N03TLRohm Semiconductor
1-1462039-8TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
2N7002-TPMicro Commercial Co
IRLML0030TRPBFInfineon Technologies- SI2336DS-T1-BE3Vishay Siliconix
2211-05-301Coto Technology
VAOL-5701SBY4Visual Communications Company - VCC- 5-1462039-6TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
G3VM-101QR1(TR05)Omron Electronics Inc-EMC Div
