SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284527-SI2301BDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2301BDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2301 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 375 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta) | |
| Другие имена | SI2301BDS-T1-GE3TR SI2301BDS-T1-GE3DKR SI2301BDS-T1-GE3-ND SI2301BDS-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AO3423Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SI2301-3AMDD
SI2301-TPMicro Commercial Co- SI2301CDS-T1-E3Vishay Siliconix
CPH3350-TL-Wonsemi- SI2304BDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI2301BDS-T1-E3Vishay Siliconix
- SI2301CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
DMG2301L-7Diodes Incorporated
