BSZ0910LSATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8 FL
Базовый номер продукта	BSZ0910
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™ 5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1100 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 37W (Tc)
Другие имена	SP005424269 448-BSZ0910LSATMA1CT 448-BSZ0910LSATMA1TR 448-BSZ0910LSATMA1DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!