SI1469DH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
НОВА часть #:
312-2281089-SI1469DH-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1469DH-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SI1469 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 470 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) | |
| Другие имена | SI1469DH-T1-E3DKR SI1469DH-T1-E3TR SI1469DHT1E3 SI1469DH-T1-E3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS138W-7-FDiodes Incorporated
74CBTLV3306GTXNexperia USA Inc.
MIC5219-3.3YML-TRMicrochip Technology
APT1608LVBC/DKingbright
PMBT3904VS,115Nexperia USA Inc.
SI1469DH-T1-BE3Vishay Siliconix- MIC5219-5.0YMT-TRMicrochip Technology
CSTNR4M00GH5L000R0Murata Electronics
MIC94052YC6-TRMicrochip Technology
CX3225SB13560H0FLJCCKyocera AVX
