IRLMS1902TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Micro6™(TSOP-6)
Базовый номер продукта	IRLMS1902
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	700mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	7 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	300 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.7W (Ta)
Другие имена	*IRLMS1902TRPBF IRLMS1902PBFTR IRLMS1902PBFDKR SP001558856 IRLMS1902PBFCT