DMP1081UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
НОВА часть #:
312-2273257-DMP1081UCB4-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMP1081UCB4-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 3A (Ta), 3.3A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | U-WLB1010-4 | |
| Базовый номер продукта | DMP1081 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta), 3.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0.9V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 0.9V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 650mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-UFBGA, WLBGA | |
| VGS (макс.) | -6V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 820mW (Ta) | |
| Другие имена | DMP1081UCB4-7DIDKR DMP1081UCB4-7DITR DMP1081UCB4-7DICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- DMP2047UCB4-7Diodes Incorporated
- SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and Storage
- DMP1096UCB4-7Diodes Incorporated



