PMZB670UPE,315
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
НОВА часть #:
312-2265064-PMZB670UPE,315
Производитель:
Номер детали производителя:
PMZB670UPE,315
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 680mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN1006B-3 | |
| Базовый номер продукта | PMZB670 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 680mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 400mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.14 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 87 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Другие имена | 568-10845-2 568-10845-2-ND 568-10845-1 568-10845-1-ND 568-10845-6 PMZB670UPE,315-ND 1727-1380-1 1727-1380-2 934065872315 568-10845-6-ND 1727-1380-6 |
In stock Нужно больше?
0,11070 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI3139KL3-TPMicro Commercial Co
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.
DMP21D5UFB4-7BDiodes Incorporated
RV2C014BCT2CLRohm Semiconductor
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and Storage