SI7456DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2288157-SI7456DDP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7456DDP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 27.8A (Tc) 5W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7456 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 27.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 900 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 35.7W (Tc) | |
| Другие имена | SI7456DDP-T1-GE3TR SI7456DDP-T1-GE3CT SI7456DDP-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IHW30N160R5XKSA1Infineon Technologies
SI7454DDP-T1-GE3Vishay Siliconix
24LC16BT-I/OTMicrochip Technology
ZXM61P03FTADiodes Incorporated
FO7HSCBE25.0-T1Fox Electronics
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
MMBT3904LT1Gonsemi
MBRS140T3Gonsemi
2N7002K-T1-E3Vishay Siliconix
FDMS86104onsemi
B240A-13-FDiodes Incorporated
NTGD1100LT1Gonsemi
MBR1H100SFT3Gonsemi
1N4148WT-7Diodes Incorporated- SI7456DP-T1-E3Vishay Siliconix
