DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
НОВА часть #:
312-2285267-DMT10H072LFDFQ-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT10H072LFDFQ-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| Базовый номер продукта | DMT10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-UDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 228 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | 31-DMT10H072LFDFQ-7TR 31-DMT10H072LFDFQ-7DKR 31-DMT10H072LFDFQ-7CT |
In stock Нужно больше?
0,53780 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PMN280ENEAXNexperia USA Inc.
AON2290Alpha & Omega Semiconductor Inc.
TPS26601RHFRTexas Instruments
