ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
НОВА часть #:
312-2302100-ISP12DP06NMXTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
ISP12DP06NMXTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 | |
| Базовый номер продукта | ISP12DP06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 520µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 790 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | |
| Другие имена | SP004987268 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ISP13DP06NMSATMA1Infineon Technologies