SI4490DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
НОВА часть #:
312-2288475-SI4490DY-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4490DY-T1-E3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 2.85A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4490 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.85A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA (Min) | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.56W (Ta) | |
| Другие имена | SI4490DYT1E3 SI4490DY-T1-E3TR SI4490DY-T1-E3CT SI4490DY-T1-E3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDS2734onsemi
AON6264EAlpha & Omega Semiconductor Inc.- AONS66612Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- FDS2672onsemi
SI4490DY-T1-GE3Vishay Siliconix
IRF7820TRPBFInfineon Technologies
