IRF5801TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Micro6™(TSOP-6)
Базовый номер продукта	IRF5801
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	600mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	3.9 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	88 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta)
Другие имена	IRF5801TRPBFTR IRF5801TRPBFDKR IRF5801TRPBFCT IRF5801TRPBF-ND SP001570104