NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
НОВА часть #:
312-2264846-NTZS3151PT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTZS3151PT1G
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-563 | |
| Базовый номер продукта | NTZS3151 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 860mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-563, SOT-666 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 458 pF @ 16 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 170mW (Ta) | |
| Другие имена | NTZS3151PT1GOSTR NTZS3151PT1GOSCT ONSONSNTZS3151PT1G NTZS3151PT1GOSDKR 2156-NTZS3151PT1G-OS |
In stock Нужно больше?
0,14430 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RUM001L02T2CLRohm Semiconductor
DMN2300U-7Diodes Incorporated
MIC5528-3.3YMT-TRMicrochip Technology
FDG312PFairchild Semiconductor
2N7002W-7-FDiodes Incorporated
DMG1013T-7Diodes Incorporated
SSM6L14FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
TLV2376IDGKRTexas Instruments
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon Technologies
S1711-46RHarwin Inc.
