SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
НОВА часть #:
312-2263323-SISS22LDN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SISS22LDN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SISS22 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25.5A (Ta), 92.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.65mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2540 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SISS22LDN-T1-GE3CT 742-SISS22LDN-T1-GE3TR 742-SISS22LDN-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STSPIN32F0STMicroelectronics
SISS72DN-T1-GE3Vishay Siliconix- SISS32DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SISS50DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SISS22DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SISS26LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SISS26DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay Siliconix
