DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
НОВА часть #:
312-2281354-DMT10H010LPS-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT10H010LPS-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 9.4A (Ta), 98A (Tc) 1.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 | |
| Базовый номер продукта | DMT10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.4A (Ta), 98A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3000 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.2W (Ta), 139W (Tc) | |
| Другие имена | DMT10H010LPS-13DIDKR DMT10H010LPS-13DITR DMT10H010LPS-13DICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SN65HVD233QDRQ1Texas Instruments
MCAC50N10Y-TPMicro Commercial Co
FDL100N50Fonsemi
MAX31740ATA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
MBRS3201T3Gonsemi
LM5060Q1MM/NOPBTexas Instruments
DMT10H015LPS-13Diodes Incorporated
NL17SZ04XV5T2Gonsemi
