ZXMP3A17E6TA
MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
НОВА часть #:
312-2281343-ZXMP3A17E6TA
Производитель:
Номер детали производителя:
ZXMP3A17E6TA
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-6 | |
| Базовый номер продукта | ZXMP3A17 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 630 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.1W (Ta) | |
| Другие имена | ZXMP3A17E6TR ZXMP3A17E6TR-NDR ZXMP3A17E6CT ZXMP3A17E6DKR-ND ZXMP3A17E6CT-NDR ZXMP3A17E6TR-ND ZXMP3A17E6CT-ND ZXMP3A17E6DKR ZXMP3A17E6DKRINACTIVE 31-ZXMP3A17E6TACT 31-ZXMP3A17E6TATR 31-ZXMP3A17E6TADKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
HSMC-C197Broadcom Limited
IRFTS9342TRPBFInfineon Technologies
PDTA114ET,215Nexperia USA Inc.
SS10P4-M3/87AVishay General Semiconductor - Diodes Division- STT4P3LLH6STMicroelectronics
ZXMP4A57E6TADiodes Incorporated
PD84002STMicroelectronics
FMMT723TADiodes Incorporated
ZXM62P02E6TADiodes Incorporated
RRQ030P03TRRohm Semiconductor- HSMY-C197Broadcom Limited
