SI3460BDV-T1-E3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3460
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	24 nC @ 8 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	860 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 3.5W (Tc)
Другие имена	SI3460BDVT1E3 SI3460BDV-T1-E3CT SI3460BDV-T1-E3TR SI3460BDV-T1-E3DKR