FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
НОВА часть #:
312-2280962-FDD86569-F085
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD86569-F085
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD86569 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2520 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tj) | |
| Другие имена | FDD86569-F085CT FDD86569-F085DKR FDD86569_F085TR-ND FDD86569_F085 FDD86569_F085CT-ND FDD86569_F085-ND FDD86569_F085DKR-ND FDD86569-F085TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NTA7002NT1Gonsemi
- FDC637BNZonsemi
- NTR2101PT1Gonsemi
- FXMA2102L8Xonsemi
- FDC5612onsemi
- FDC5614Ponsemi
- NCP45521IMNTWG-Honsemi
- NC7WZ17P6Xonsemi
- BSS138-7-FDiodes Incorporated
- FDG6317NZonsemi
- FDN352APonsemi
- FDC6312Ponsemi
- FDG6303Nonsemi
- SQD97N06-6M3L_GE3Vishay Siliconix
- TPS92612DBVRTexas Instruments










