TN2106K1-G
MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
НОВА часть #:
312-2282621-TN2106K1-G
Производитель:
Номер детали производителя:
TN2106K1-G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 280mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB (SOT23) | |
| Базовый номер продукта | TN2106 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 280mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 50 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Tc) | |
| Другие имена | TN2106K1-GDKR TN2106K1-GCT TN2106K1-GTR TN2106K1-G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TC7SZ14F,LJ(CTToshiba Semiconductor and Storage
TP2104K1-GMicrochip Technology
CPC1002NTRIXYS Integrated Circuits Division
TN2106N3-GMicrochip Technology
2N7002NTE Electronics, Inc
MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated
2N7002K-T1-E3Vishay Siliconix
ZXMP6A17KTCDiodes Incorporated
BZT52C10-7-FDiodes Incorporated
NX7002AKVLNexperia USA Inc.
DS3231MZ/V+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
MMBT2907A-GComchip Technology- 2N7002H6327XTSA2Infineon Technologies
