IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
НОВА часть #:
312-2264587-IXTA36N30P
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTA36N30P
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 300 V 36A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263AA | |
| Базовый номер продукта | IXTA36 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PolarHT™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 300 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2250 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- RCJ220N25TLRohm Semiconductor
- IXFA38N30X3IXYS
- FDB38N30Uonsemi
- SQJQ466E-T1_GE3Vishay Siliconix




