FQU8P10TU
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
НОВА часть #:
312-2279377-FQU8P10TU
Производитель:
Номер детали производителя:
FQU8P10TU
Стандартный пакет:
5,040
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | I-PAK | |
| Базовый номер продукта | FQU8P10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 470 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | |
| Другие имена | FQU8P10TU-ND FQU8P10TUOS ONSONSFQU8P10TU 2156-FQU8P10TU-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IRF9510PBFVishay Siliconix
- TSM680P06CH X0GTaiwan Semiconductor Corporation
- FQU11P06TUonsemi
- FQP3P20onsemi





