SQP10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
НОВА часть #:
312-2305722-SQP10250E_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQP10250E_GE3
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 53A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB | |
| Базовый номер продукта | SQP10250 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 53A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4050 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STP50NF25STMicroelectronics
IRFB4229PBFInfineon Technologies
IPP220N25NFDAKSA1Infineon Technologies
IXFP60N25X3IXYS- IRFB4332PBFInfineon Technologies
- IXFP56N30X3IXYS
