XP263N1001TR-G
MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
НОВА часть #:
312-2284999-XP263N1001TR-G
Производитель:
Номер детали производителя:
XP263N1001TR-G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Torex Semiconductor Ltd | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23 | |
| Базовый номер продукта | XP263 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 180 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta) | |
| Другие имена | 893-XP263N1001TR-GTR 893-XP263N1001TR-GCT 893-XP263N1001TR-GDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CMPDM7002AHC TR PBFREECentral Semiconductor Corp
DMN6140L-7Diodes Incorporated- 2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
2N7002KMDD
IRLML2060TRPBFInfineon Technologies
XP262N7002TR-GTorex Semiconductor Ltd- 2N7002ADiotec Semiconductor
- SI2310B-TPMicro Commercial Co
TSM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- SQ2362ES-T1_GE3Vishay Siliconix
DMN6140L-13Diodes Incorporated- MMFTN170Diotec Semiconductor
