FDS4435BZ

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

НОВА часть #:

312-2281110-FDS4435BZ

Производитель:

Номер детали производителя:

FDS4435BZ

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	FDS4435
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±25V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1845 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta)
Другие имена	FDS4435BZTR 2156-FDS4435BZ-OS FDS4435BZDKR FDS4435BZCT FAIFSCFDS4435BZ