TPN3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
НОВА часть #:
312-2281132-TPN3R704PL,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPN3R704PL,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Базовый номер продукта | TPN3R704 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 0.2mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2500 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 630mW (Ta), 86W (Tc) | |
| Другие имена | TPN3R704PLL1QDKR TPN3R704PLL1QTR TPN3R704PLL1QCT TPN3R704PL,L1Q(M |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SN74LVC1G17DBVTTexas Instruments
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
VLMS1500-GS08Vishay Semiconductor Opto Division
TPN2R304PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BQ24725ARGRRTexas Instruments- TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and Storage
SSM6K513NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
FPF2101onsemi
L6474HTRSTMicroelectronics
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.
