RSJ650N10TL

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	LPTS
Базовый номер продукта	RSJ650
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	65A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	10780 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	100W (Tc)
Другие имена	RSJ650N10TLDKR RSJ650N10TLCT RSJ650N10TLTR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!