NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
НОВА часть #:
312-2287792-NVTFS5116PLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVTFS5116PLTWG
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NVTFS5116 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1258 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) | |
| Другие имена | NVTFS5116PLTWGOSDKR NVTFS5116PLTWG-ND NVTFS5116PLTWGOSCT NVTFS5116PLTWGOSTR |
In stock Нужно больше?
1,58620 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NCV4266ST50T3Gonsemi
NCN8025AMNTXGonsemi
FDC6324Lonsemi
NVMFS5C460NLAFT1Gonsemi
FDS86242onsemi
NCP380HMUAJAATBGonsemi
NCP59748MN2ADJTBGonsemi- FDC6305Nonsemi
NTJD4152PT1Gonsemi- FPF2702MXonsemi
FDG6317NZonsemi
NVTFS5116PLWFTAGonsemi
FDN352APonsemi- FDG6306Ponsemi
- FDC6312Ponsemi
