SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
НОВА часть #:
312-2296347-SI2387DS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2387DS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 164mOhm @ 2.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 395 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SI2387DS-T1-GE3CT 742-SI2387DS-T1-GE3TR 742-SI2387DS-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMPH6250S-13Diodes Incorporated
SI2337DS-T1-E3Vishay Siliconix- FDN5618Ponsemi
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- ZXMP6A13FQTADiodes Incorporated
- SI2309CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
