IRLR2908TRPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
НОВА часть #:
312-2281800-IRLR2908TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRLR2908TRPBF
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-Pak | |
| Базовый номер продукта | IRLR2908 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 23A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1890 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 120W (Tc) | |
| Другие имена | SP001553170 IRLR2908TRPBFTR IRLR2908TRPBFDKR IRLR2908TRPBF-ND IRLR2908TRPBFCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MCP1416T-E/OTMicrochip Technology
IRFR3411TRPBFInfineon Technologies
BAT74,215Nexperia USA Inc.
2N7002LT1Gonsemi
SI4459BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
MAX487ESA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
BSS138LT3Gonsemi
STD45NF75T4STMicroelectronics
IRLR2908PBFInternational Rectifier
LTC2983HLX#PBFAnalog Devices Inc.
BSH108,215Nexperia USA Inc.
