BSC042N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
НОВА часть #:
312-2275341-BSC042N03LSGATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC042N03LSGATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 93A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-5 | |
| Базовый номер продукта | BSC042 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Ta), 93A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3500 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 57W (Tc) | |
| Другие имена | BSC042N03LSG SP000302864 BSC042N03LS G BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC042N03LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC042N03LSGXT BSC042N03LSGATMA1TR BSC042N03LSGINCT BSC042N03LSGATMA1DKR BSC042N03LSGINDKR BSC042N03LSGINDKR-ND BSC042N03LSGINTR-ND BSC042N03LSGINTR BSC042N03LSGINCT-ND BSC042N03LSGATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC050N03LSGATMA1Infineon Technologies
ST3485EBDRSTMicroelectronics
BSC020N03LSGATMA1Infineon Technologies
BSC042N03LSGInfineon Technologies
