SI3442BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2285274-SI3442BDV-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3442BDV-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3442 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 295 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 860mW (Ta) | |
| Другие имена | SI3442BDV-T1-E3TR SI3442BDV-T1-E3DKR SI3442BDV-T1-E3CT SI3442BDVT1E3 |
In stock Нужно больше?
0,29910 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RSQ020N03TRRohm Semiconductor
SQ3418EV-T1_GE3Vishay Siliconix
ZXMN6A08E6TADiodes Incorporated
IRF5802TRPBFInfineon Technologies
DMN601WK-7Diodes Incorporated- SI3440DV-T1-GE3Vishay Siliconix
