NTH4L022N120M3S

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

НОВА часть #:

312-2273139-NTH4L022N120M3S

Производитель:

Номер детали производителя:

NTH4L022N120M3S

Стандартный пакет:

450

Технический паспорт:

N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-4L

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	68A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.4V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	151 nC @ 18 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-4
VGS (макс.)	+22V, -10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3175 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	352W (Tc)
Другие имена	488-NTH4L022N120M3S