BSZ0602LSATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8 FL
Базовый номер продукта	BSZ0602
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™ 5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3V @ 36µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2340 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	69W (Tc)
Другие имена	448-BSZ0602LSATMA1TR SP001589450 448-BSZ0602LSATMA1DKR 448-BSZ0602LSATMA1CT