IXTT16N10D2
MOSFET N-CH 100V 16A TO268
НОВА часть #:
312-2283887-IXTT16N10D2
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTT16N10D2
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-268AA | |
| Базовый номер продукта | IXTT16 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Depletion | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 8A, 0V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | - | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 225 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | Depletion Mode | |
| Пакет/кейс | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 830W (Tc) | |
| Другие имена | -IXTT16N10D2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTA6N50D2IXYS
IXTT16N50D2IXYS- IXTT16N20D2IXYS
IXTH16N10D2IXYS