NTF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
НОВА часть #:
312-2285224-NTF3055-100T1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTF3055-100T1G
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 (TO-261) | |
| Базовый номер продукта | NTF3055 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 455 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.3W (Ta) | |
| Другие имена | NTF3055-100T1GOSTR NTF3055100T1G NTF3055-100T1GOSDKR 2156-NTF3055-100T1G-OS NTF3055-100T1GOS NTF3055-100T1GOSCT ONSONSNTF3055-100T1G NTF3055-100T1GOS-ND |
In stock Нужно больше?
0,20330 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- MMSZ11T1Gonsemi
- 2N7002LT1Gonsemi
- STN3NF06STMicroelectronics
- MMBT3904LT1Gonsemi
- STN3NF06LSTMicroelectronics
- NTF3055-160T3onsemi
- NTF3055L108T1Gonsemi
- DMN6068SE-13Diodes Incorporated
- IRLL024NTRPBFInfineon Technologies
- BSP320SH6327XTSA1Infineon Technologies
- IRLL014TRPBFVishay Siliconix







