SI7322DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2281809-SI7322DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7322DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7322 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 750 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | |
| Другие имена | SI7322DN-T1-GE3CT SI7322DN-T1-GE3TR SI7322DNT1GE3 SI7322DN-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMC86240onsemi
G3VM-61FR1Omron Electronics Inc-EMC Div
8NE-30.000MBM-TTXC CORPORATION
ADN4692EBRZAnalog Devices Inc.
SIR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix