STW58N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
НОВА часть #:
312-2273410-STW58N65DM2AG
Производитель:
Номер детали производителя:
STW58N65DM2AG
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | STW58 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 48A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 24A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4100 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360W (Tc) | |
| Другие имена | 497-16137-5 -1138-STW58N65DM2AG |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STW65N65DM2AGSTMicroelectronics