IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
НОВА часть #:
312-2264869-IPP60R080P7XKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPP60R080P7XKSA1
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO220-3 | |
| Базовый номер продукта | IPP60R080 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ P7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 37A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 590µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2180 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 129W (Tc) | |
| Другие имена | SP001647034 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STF28N60M2STMicroelectronics
IPP60R099P7XKSA1Infineon Technologies- IPP60R060C7XKSA1Infineon Technologies
NTP082N65S3Fonsemi
STP45N65M5STMicroelectronics
STWA45N65M5STMicroelectronics- NTP067N65S3Honsemi
R6547ENZ4C13Rohm Semiconductor- FCP067N65S3onsemi