FDS2670
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
НОВА часть #:
312-2288432-FDS2670
Производитель:
Номер детали производителя:
FDS2670
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | FDS26 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1228 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) | |
| Другие имена | FDS2670TR FDS2670CT ONSONSFDS2670 2156-FDS2670-OS FDS2670DKR FDS2670-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDS2734onsemi
IXTH6N120IXYS
FDMQ8205onsemi- FDS2672onsemi
BSC22DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
