IPW65R050CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
НОВА часть #:
312-2299585-IPW65R050CFD7AXKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPW65R050CFD7AXKSA1
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO247-3-41 | |
| Базовый номер продукта | IPW65R050 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 45A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 24.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 1.24mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 102 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4975 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 227W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPW65R050CFD7AXKSA1 SP003793156 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STW65N65DM2AGSTMicroelectronics