TN0620N3-G-P002
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
НОВА часть #:
312-2291276-TN0620N3-G-P002
Производитель:
Номер детали производителя:
TN0620N3-G-P002
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 | |
| Базовый номер продукта | TN0620 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 250mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.6V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 150 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Tc) | |
| Другие имена | TN0620N3-G-P002CT TN0620N3-G-P002-ND TN0620N3-G-P002TR TN0620N3-G-P002DKRINACTIVE TN0620N3-G-P002DKR-ND TN0620N3-G-P002DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
