DN3765K4-G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

НОВА часть #:

312-2264345-DN3765K4-G

Производитель:

Номер детали производителя:

DN3765K4-G

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Microchip Technology
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252-3
Базовый номер продукта	DN3765
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	300mA (Tj)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th) (макс.) @ Id	-
Полевой транзистор	Depletion Mode
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	825 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta)
Другие имена	DN3765K4-GTR DN3765K4-GDKR DN3765K4-GCT DN3765K4-G-ND