IPB057N06NATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3
Базовый номер продукта	IPB057
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	17A (Ta), 45A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.8V @ 36µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2000 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Ta), 83W (Tc)
Другие имена	IPB057N06N-ND IPB057N06NATMA1DKR IPB057N06NCT IPB057N06NDKR-ND IPB057N06NATMA1CT IPB057N06N IPB057N06NDKR IPB057N06NATMA1TR IPB057N06NCT-ND IPB057N06NTR-ND SP000962140 IPB057N06NTR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!