STS8N6LF6AG
MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
НОВА часть #:
312-2291241-STS8N6LF6AG
Производитель:
Номер детали производителя:
STS8N6LF6AG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | STS8N6 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1340 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta) | |
| Другие имена | 497-17150-1 497-17150-6 497-17150-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4436DY-T1-GE3Vishay Siliconix